TALLINNA TEHNIKAÜLIKOOLI
RAAMATUKOGU DIGIKOGU
tuvastatud kui külaline  
 

Vaadatud 78 kord(a)
Alla laetud 292 kord(a)

(3.2 MB)

Pealkiri SiC Schottky dioodi taastumisaja sõltuvus barjääri mahtuvusest ja takistusest. The dependence of reverse recovery time on barrier capacitance and series-on resistance in SiC Schottky diodes 
Autor Veher, Oleksandr 
Märksõnad taastumisaeg, Schottky diood, barjääri mahtuvus, takistus, magistritööd
reverse recovery time, Schottky diode, barrier capacitance, series-on resistance, master's theses 
Juhendaja Sleptšuk, Natalja ; Toompuu, Jana 
Kaitsmiskuupäev 06.06.2017 
Keel eng 
Asutus Tallinna Tehnikaülikool
Tallinn University of Technology 
Teaduskond Infotehnoloogia teaduskond
School of Information Technologies 
Instituut / kolledž Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
Thomas Johann Seebeck Department of Electronics 
Allüksus Elektroonika ja sidetehnika õppekeskus
Study Centre for Electronics and Communication Technologies