TALLINNA TEHNIKAÜLIKOOLI
RAAMATUKOGU DIGIKOGU
tuvastatud kui külaline  
 

Vaadatud 11 kord(a)
Alla laetud 1 kord(a)

(3.2 MB)

Pealkiri SiC Schottky dioodi taastumisaja sõltuvus barjääri mahtuvusest ja takistusest. The dependence of reverse recovery time on barrier capacitance and series-on resistance in SiC Schottky diodes 
Autor Veher, Oleksandr 
Märksõnad taastumisaeg, Schottky diood, barjääri mahtuvus, takistus, magistritööd
reverse recovery time, Schottky diode, barrier capacitance, series-on resistance, master's theses 
Juhendaja Sleptšuk, Natalja ; Toompuu, Jana 
Kaitsmiskuupäev 06.06.2017 
Keel eng 
Asutus Tallinna Tehnikaülikool
Tallinn University of Technology 
Teaduskond Infotehnoloogia teaduskond
School of Information Technologies 
Instituut / kolledž Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
Thomas Johann Seebeck Department of Electronics 
Allüksus Elektroonika ja sidetehnika õppekeskus
Study Centre for Electronics and Communication Technologies