TALLINNA TEHNIKAÜLIKOOLI
RAAMATUKOGU DIGIKOGU
tuvastatud kui külaline  
 

Vaadatud 692 kord(a)
Alla laetud 75 kord(a) alates 1.01.2018

(0.1 MB)

Pealkiri GaAs and SiC semiconductor materials based power structures: static and dynamic behavior analysis. GaAs ja SiC pooljuhtmaterjalidel põhinevad jõustruktuurid: staatiliste ja dünaamiliste karakteristikute käitumise analüüs 
Valdkond Informatics and System Engineering C
Informaatika ja süsteemitehnika C 
Autor Koel, Ants 
Märksõnad GaAs PIN diode, SiC JBS diode, numerical simulation, temperature influence, self-heating phenomenon, switching properties, snappy effect, deep traps, dissertations,
GaAs PIN diood, SiC JBS diood, numbriline simulatsioon, tempera¬tuuri mõju, isesoojenemise fenomen, snappy fenomen, sügavad keelutsooni nivood, dissertatsioonid 
Kirjeldus Abstract
Sisukokkuvõte 
Juhendaja Rang, Toomas 
Kaitsmiskuupäev 30.05.2014 
Keel eng 
Asutus Tallinn University of Technology
Tallinna Tehnikaülikool 
Teaduskond Faculty of Information Technology
Infotehnoloogia teaduskond 
Instituut / kolledž Thomas Johann Seebeck Department of Electronics
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut