TALLINNA TEHNIKAÜLIKOOLI
RAAMATUKOGU DIGIKOGU
tuvastatud kui külaline  
 

Vaadatud 671 kord(a)
Alla laetud 29 kord(a) alates 1.01.2018

(0.1 MB)

Pealkiri Investigation of the specific deep levels in p-, i- and n- regions of GaAs p⁺-pin-n⁺ structures. GaAs p⁺-pin-n⁺ struktuuride spetsiifiliste sügavate tsentrite uurimine p-, i- ja n- alades 
Valdkond Informatics and System Engineering C
Informaatika ja süsteemitehnika C 
Autor Toompuu, Jana 
Märksõnad Gallium Arsenide (GaAs), p+-pin-n+ diode structures, capacity relaxation method (DLTS), deep levels, dissertations,
Galliumarseniid (GaAs), p+-pin-n+ struktuurid, mahtuvuse lõõgastuse meetod (DLTS), sügavad nivood, dissertatsioonid 
Kirjeldus Abstract
Sisukokkuvõte 
Juhendaja Rang, Toomas ; Korolkov, Oleg 
Kaitsmiskuupäev 12.12.2014 
Keel eng 
Asutus Tallinn University of Technology
Tallinna Tehnikaülikool 
Teaduskond Faculty of Information Technology
Infotehnoloogia teaduskond 
Instituut / kolledž Thomas Johann Seebeck Department of Electronics
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut